플래시메모리의구조, NOR/NAND 플래시

1. 비 휘발성 반도체 메모리, 플래시 메모리

가. 플래시 메모리의 정의- 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비 휘발성 컴퓨터 기억 장치를 .
나. 플래시 메모리의 특징- EPROM 과 EEPROM 의 장점을 결함
- 1개의 트랜지스터로써 EPROM의 프로그램 입력 방법과 EEPROM의 소거 방법을 조합

2. 플래시 메모리의 구조

가. 플래시 메모리의 구조- Cell : 순수한 Data 가 저장되는 공간
- Logic : Cell 을 찾아 가기 위한 회로, 각 종 레지스터로 구성
- 플래시의 Cell 은 옥사이드로 구성되어 있어 비 휘발성

나. 플래시 메모리의 종류별 논리구조

3. NOR 플래시 와 NAND 플래시

가. NOR 플래시- 바이트 단위로 읽기 가능한 RAM 형태의 인터페이스
- 쓰기기능의 경우 해당 바이트의 1인 비트를 0으로 변경하는 동작만 가능
- 읽기 성능은 우수하지만 쓰기와 소거 기능이 저조
- 마모현상으로 인하여 소거회수에 제한이 있음
나. NAND 플래시
- NOR 플래시에 비하여 높은 직접도
- 일정 영역(페이지) 단위의 읽기 및 쓰기 (별도의 인터페이스 필요)
- 읽기 성능은 저조하며 쓰기성능은 우수
다. NOR 및 NAND 플래시의 특징 비교